아토메라, GaN-on-Silicon의 광범위한 RF 채택을 겨냥한 혁신 발표
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캘리포니아주 로스 가토스--(BUSINESS WIRE)--반도체 소재 및 기술 라이선싱 기업인 아토메라 인코퍼레이티드(나스닥: ATOM)는 오늘, 주류 RF 애플리케이션에서의 사용을 제한하는 주요 성능 장벽을 해결하는 GaN-on-Silicon에 대한 새로운 접근 방식을 발표했습니다. 현재 고성능 RF GaN 장치는 일반적으로 실리콘 카바이드 기판 위에서 제작되는데, 이는 우수한 성능을 제공하지만 비용이 많이 들고 확장하기 어렵습니다. 실리콘은 더 저렴하고 확장 가능한 기반을 제공합니다.
요약
아토메라(ATOM)는 고성능 RF GaN 장치의 주요 성능 장벽을 해결하는 GaN-on-Silicon에 대한 새로운 접근 방식을 발표했습니다. 기존에는 고성능 RF GaN 장치가 비용이 많이 들고 확장하기 어려운 실리콘 카바이드 기판 위에서 제작되었으나, 이번 기술은 더 저렴하고 확장 가능한 실리콘 기반을 활용하여 RF 시장에서의 GaN 채택을 확대할 것으로 기대됩니다. 이는 아토메라의 기술 라이선싱 사업에 긍정적인 영향을 미칠 수 있습니다.